1330nm DFB 激光器主要以半導體材料為介質,具有非常好的單色性,它的線寬普遍可以做到1MHz以內,以及具有非常高的邊模抑制比,可高達40-50dB以上。DFB的芯片分為P極和N極,當注入p-n結的電流較低時,只有自發輻射產生,隨電流值的增大增益也增大,達閾值電流時,p-n結產生激光。 1330nm DFB 激光器的結構怎么做才能使其特性比較好,能夠達到更高速的操作呢?
首先,通過調整功能腔的長度和集裝波導的寬度來實現。對于功能腔長度越短、集裝波導越窄的情況,光子所占體積小,一致性較強,整個激光器的操作速度比較快。
其次,通過光柵的優化與kl設計,來提高其功能。
第三,通過最佳量子阱結構與摻雜分布,改善激光器操作頻率。
第四,通過將接觸電阻和串聯電阻變小,將寄生電容變小,或者增加介質膜厚度減少電容,來增加操作頻率。
背腔相位是在激光器解離過程中隨機定義出來的,因此不能得到精準控制,就是一個隨機的數值,但是對于特定的設計和制作來講,可以通過統計學的方法,統計批次的設計良率確定,進而在設計師考慮基于隨機背腔相位和標稱特性的分布。
背腔相位對1330nm DFB 激光器存在以下影響:
1 閾值電流的影響:
背腔相位影響允許的激射波長,他們有不同的激射增益。
2 激射波長:隨機背腔相位輕微便宜允許模式,但是由于增益隨波長的略微變化而顯著變化,具有低增益的模式可能顯著變化。
3 單模行為:針對某些背腔相位,兩張允許的模式會有基本相同的激光增益,在這種情況下,器件可能有兩個激射模式。
4 斜率效率:器件的功率分布依賴于相位,十分敏感,稍不同的背腔相位代表不同的斜率效率,不似FP那樣,斜率效率敏感地依賴于背腔相位。